About Us
信阳伟德国际官网创办以来，在江苏省重大成就转化项目、信阳市各级人才项目支持下，经过10年攻关实现了从资料成长设备的自主研发到GaN单晶衬底成长制备的齐全工艺开发，2英寸GaN单晶衬底的位错密度降低到10?cm²，达到世界先进水平，期间相继得到科技部863项目和国度发改委产业化示范项主张支持；；近两年实现了4英寸和6英寸GaN单晶衬底的关键技术研发。。目前GaN单晶衬底产品已经提供给500余家客户使用，根基实现了对研发市场的占据，正在提升产能向企业利用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高靠得住性高功率微波器件等重大领域。。申报有关主题专利近百余项，在各类重要国际学术会议和产业论坛上做约请汇报百余次，信阳伟德国际官网受到产业界和国际同业的宽泛关注。。
1979年10月生，于2001年、2006年先后获得武汉大学学士和博士学位（与中科院半导体所结合造就），尔后一向从事GaN单晶衬底的制备及产业化开发。。王建峰博士针对GaN成长设备，创新的引入了在位光学监控系统，实现了成长速度和应力的实时监控，极大的推动了GaN资料研发；；近5年以来，深刻钻研了GaN的HVPE成长机理和缺点演化机制，选取周期掩膜、GaN纳米柱阵列等中央层步骤，获得了无裂纹、高质量GaN资料，机能达到目前同类步骤公开报道的最好值(位错密度<10?cm²，室温电子迁徙率1100cm²/V·s)；；利用掺杂技术，实现了2英寸非掺、N型掺杂和半绝缘赔偿掺杂GaN单晶衬底的研制。。近3年以来，初步实现了4英寸GaN单晶衬底的制备。。作为项目掌管人和主题人员参与科技部863项目、国际合作项目、天然科学基金项目、中科院 STS 项目等10余项，申报有关主题专利20余项，在ICNS、APWS等重要国际会议上做特邀汇报5次。。项目申请人曾荣获中国产学研推进性创新成就奖，中国科学院卢嘉锡青年人才奖，信阳市劳动圭表嘉奖。。
联系伟德国际官网
地址 ：： ：信阳工业园区东荡田巷一号
销售总监 ：： ：
戴冬云 ：： ：15962257010
邮 箱 ：： ：daidongyun@nanowin.com.cn
销售助理 ：： ：17712482910
邮 箱 ：： ：sales-asst@nanowin.com.cn
在线留言
